RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Confronto
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
16.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,201.1
13.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
52
74
Intorno -42% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
6400
Intorno 4 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
74
52
Velocità di lettura, GB/s
4,178.4
16.4
Velocità di scrittura, GB/s
2,201.1
13.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
25600
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
508
2893
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
INTENSO M418039 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link