RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Confronto
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
13.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
74
Intorno -100% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.9
2,201.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
74
37
Velocità di lettura, GB/s
4,178.4
13.9
Velocità di scrittura, GB/s
2,201.1
9.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
508
2389
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link