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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
13.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
74
左右 -100% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.9
2,201.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
37
读取速度,GB/s
4,178.4
13.9
写入速度,GB/s
2,201.1
9.9
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
2389
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB RAM的比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
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