RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Confronto
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
18.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,201.1
15.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
74
Intorno -147% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
6400
Intorno 4 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
74
30
Velocità di lettura, GB/s
4,178.4
18.4
Velocità di scrittura, GB/s
2,201.1
15.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
25600
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
508
3694
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link