Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB против Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Средняя оценка

Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB

Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Причины выбрать
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 18.4

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,201.1 15.4

Среднее значение в тестах

Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB

Причины выбрать
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

30 74

Около -147% меньшая задержка
Выше пропускная способность

25600 6400

Около 4 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

74 30
Скорость чтения, Гб/сек

4,178.4 18.4
Скорость записи, Гб/сек

2,201.1 15.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 25600

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

508 3694

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB

Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB

Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB

модули RAM

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Kingston 9905712-034.A00G 16GB

Kingston 9905712-034.A00G 16GB

модули RAM

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB

Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB

SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB

SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB

Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Kingston 9905599-025.A00G 8GB

Kingston 9905599-025.A00G 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB

G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB

модули RAM

Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB

Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB

G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB

G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB

Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB

Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB

Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB

модули RAM

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB

G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB

модули RAM