RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Сравнить
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB против Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
50
Около -56% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.5
15.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.8
10.9
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
32
Скорость чтения, Гб/сек
15.3
17.5
Скорость записи, Гб/сек
10.9
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2512
3309
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Сравнения RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link