RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Porównaj
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
50
Wokół strony -56% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
10.9
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
32
Prędkość odczytu, GB/s
15.3
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
10.9
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2512
3309
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Kingston HP16D3LS1KFG/4G 4GB
Kingston ACR16D3LS1KFG/4G 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link