RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

総合得点
star star star star star
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB 考慮すべき理由
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
バグを報告する
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 19200
    周辺 1.33% 高帯域
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB 考慮すべき理由
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    32 left arrow 50
    周辺 -56% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.5 left arrow 15.3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.8 left arrow 10.9
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    50 left arrow 32
  • 読み出し速度、GB/s
    15.3 left arrow 17.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    10.9 left arrow 13.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2512 left arrow 3309

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB RAMの比較

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
メモリRAM
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
メモリRAM
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
メモリRAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
メモリRAM
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
メモリRAM
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
メモリRAM
AMD AE34G2139U2 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
メモリRAM
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
メモリRAM
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
メモリRAM
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
メモリRAM