RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.4
11.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
43
Wokół strony -43% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
30
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
11.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2422
2462
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M378B5773CH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link