RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
50
Wokół strony -61% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.0
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
31
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
3112
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link