RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Confronto
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
18.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
73
Intorno -192% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.2
1,423.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
73
25
Velocità di lettura, GB/s
3,510.5
18.7
Velocità di scrittura, GB/s
1,423.3
17.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
476
4039
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Kingston KX830D-HYC 4GB
Kingston HP536726-H41-ELCUW 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link