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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
总分
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
总分
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
73
左右 -192% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
17.2
1,423.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
25
读取速度,GB/s
3,510.5
18.7
写入速度,GB/s
1,423.3
17.2
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
476
4039
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
INTENSO 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
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