RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
73
Wokół strony -192% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.2
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
25
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
17.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
4039
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Kingston ACR16D3LU1KNG/8G 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link