RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Inmos + 256MB
Confronto
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Inmos + 256MB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Punteggio complessivo
Inmos + 256MB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
11.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Inmos + 256MB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
73
Intorno -143% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.1
1,423.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
16800
5300
Intorno 3.17 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Inmos + 256MB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
73
30
Velocità di lettura, GB/s
3,510.5
11.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,423.3
9.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
16800
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
no data
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
476
2318
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Inmos + 256MB Confronto tra le RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link