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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Inmos + 256MB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Inmos + 256MB

Puntuación global
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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Puntuación global
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Inmos + 256MB

Inmos + 256MB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Informar de un error
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    3 left arrow 11.5
    Valor medio en las pruebas
Inmos + 256MB Razones a tener en cuenta
Inmos + 256MB
Informar de un error
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    30 left arrow 73
    En -143% menor latencia
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    9.1 left arrow 1,423.3
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    16800 left arrow 5300
    En 3.17 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Inmos + 256MB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    73 left arrow 30
  • Velocidad de lectura, GB/s
    3,510.5 left arrow 11.5
  • Velocidad de escritura, GB/s
    1,423.3 left arrow 9.1
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    5300 left arrow 16800
Other
  • Descripción
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow no data
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    476 left arrow 2318

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaciones de la memoria RAM

Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB

Inmos + 256MB Comparaciones de la memoria RAM

Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
KingSpec KingSpec 16GB
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Memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Memoria RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Memoria RAM
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Memoria RAM
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Memoria RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Memoria RAM
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
Memoria RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
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Memoria RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
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Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
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Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
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