Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Inmos + 256MB

Pontuação geral

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Pontuação geral

Inmos + 256MB

Inmos + 256MB

Diferenças Especificações Comentários

Diferenças

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Razões a considerar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

3 11.5

Valor médio nos testes

Inmos + 256MB

Razões a considerar
Inmos + 256MB

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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

30 73

Por volta de -143% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

9.1 1,423.3

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

16800 5300

Por volta de 3.17 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Inmos + 256MB

Características principais

Tipo de memória

DDR2 DDR4
Latência em PassMark, ns

73 30
Velocidade de leitura, GB/s

3,510.5 11.5
Velocidade de escrita, GB/s

1,423.3 9.1
Largura de banda de memória, mbps

5300 16800

Other

Descrição

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio

5-5-5-15 / 667 MHz no data
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

476 2318

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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