RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Confronto
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs NSITEXE Inc Visenta 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Punteggio complessivo
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
18
Valore medio nei test
Motivi da considerare
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
58
73
Intorno -26% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.2
1,423.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
73
58
Velocità di lettura, GB/s
3,510.5
18.0
Velocità di scrittura, GB/s
1,423.3
8.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
476
2025
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link