RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Сравнить
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против NSITEXE Inc Visenta 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Средняя оценка
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
58
73
Около -26% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.2
1,423.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
58
Скорость чтения, Гб/сек
3,510.5
18.0
Скорость записи, Гб/сек
1,423.3
8.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
476
2025
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link