RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs NSITEXE Inc Visenta 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

総合得点
star star star star star
NSITEXE Inc Visenta 16GB

NSITEXE Inc Visenta 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB 考慮すべき理由
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 18
    テスト平均値
NSITEXE Inc Visenta 16GB 考慮すべき理由
NSITEXE Inc Visenta 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    58 left arrow 73
    周辺 -26% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.2 left arrow 1,423.3
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 5300
    周辺 4.02 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    73 left arrow 58
  • 読み出し速度、GB/s
    3,510.5 left arrow 18.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,423.3 left arrow 8.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    476 left arrow 2025

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB RAMの比較

Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB

NSITEXE Inc Visenta 16GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
メモリRAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
メモリRAM
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
メモリRAM
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
メモリRAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
メモリRAM
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
メモリRAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
メモリRAM
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
メモリRAM
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
メモリRAM
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
メモリRAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
メモリRAM