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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Confronto
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Punteggio complessivo
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
16.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
73
Intorno -217% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.0
1,423.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
73
23
Velocità di lettura, GB/s
3,510.5
16.6
Velocità di scrittura, GB/s
1,423.3
13.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
476
2548
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
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