RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Сравнить
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Средняя оценка
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
73
Около -217% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.0
1,423.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
23
Скорость чтения, Гб/сек
3,510.5
16.6
Скорость записи, Гб/сек
1,423.3
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
476
2548
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Kingston 9905595-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link