RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
73
Wokół strony -217% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
23
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
2548
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Samsung M395T5750EZ4-CE66 2GB
Samsung M395T5750CZ4-CE61 2GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link