RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Confronto
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
15.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
69
Intorno -103% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.8
1,441.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
69
34
Velocità di lettura, GB/s
3,325.1
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
1,441.2
11.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
525
2917
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link