RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Confronto
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
16.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
69
Intorno -200% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.7
1,441.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
69
23
Velocità di lettura, GB/s
3,325.1
16.3
Velocità di scrittura, GB/s
1,441.2
11.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
525
2911
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link