RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Confronto
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
17.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
69
Intorno -109% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.0
1,441.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
69
33
Velocità di lettura, GB/s
3,325.1
17.9
Velocità di scrittura, GB/s
1,441.2
15.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
525
3385
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kllisre 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link