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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Confronto
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
16.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
69
Intorno -214% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.6
1,441.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
69
22
Velocità di lettura, GB/s
3,325.1
16.9
Velocità di scrittura, GB/s
1,441.2
13.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
525
3192
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
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Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
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Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
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