RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Confronto
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
13.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
69
Intorno -138% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.0
1,441.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
69
29
Velocità di lettura, GB/s
3,325.1
13.8
Velocità di scrittura, GB/s
1,441.2
11.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
525
2690
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
UMAX Technology 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link