RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Confronto
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
17.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
69
Intorno -103% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.6
1,441.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
69
34
Velocità di lettura, GB/s
3,325.1
17.1
Velocità di scrittura, GB/s
1,441.2
13.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
525
3083
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link