RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Confronto
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
10.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
69
Intorno -130% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.5
1,441.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
69
30
Velocità di lettura, GB/s
3,325.1
10.3
Velocità di scrittura, GB/s
1,441.2
9.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
525
1651
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB Confronto tra le RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link