RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Confronto
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
15.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
69
Intorno -123% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.2
1,441.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
69
31
Velocità di lettura, GB/s
3,325.1
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,441.2
12.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
525
3031
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link