RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Confronto
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
10
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
52
69
Intorno -33% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.3
1,441.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
69
52
Velocità di lettura, GB/s
3,325.1
10.0
Velocità di scrittura, GB/s
1,441.2
7.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
525
2306
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link