RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Confronto
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
15.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
60
69
Intorno -15% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.0
1,441.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
5300
Intorno 4.83 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
69
60
Velocità di lettura, GB/s
3,325.1
15.3
Velocità di scrittura, GB/s
1,441.2
11.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
25600
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
525
2359
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Kingston MSI16D3LS1KFG/4G 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link