RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Confronto
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
13.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
69
Intorno -188% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
6.5
1,441.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
69
24
Velocità di lettura, GB/s
3,325.1
13.8
Velocità di scrittura, GB/s
1,441.2
6.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
525
1983
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link