RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Confronto
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Punteggio complessivo
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
16
Valore medio nei test
Motivi da considerare
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
69
Intorno -188% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.5
1,441.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
69
24
Velocità di lettura, GB/s
3,325.1
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
1,441.2
11.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
525
2432
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
SK Hynix HMT351S6AFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link