RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Confronto
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
19.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
68
Intorno -196% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.1
1,702.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
68
23
Velocità di lettura, GB/s
3,886.6
19.1
Velocità di scrittura, GB/s
1,702.6
17.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
654
3666
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Panram International Corporation PSD31333C94G2VS 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link