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Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Confronto
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
15.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
64
Intorno -100% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.7
1,869.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
64
32
Velocità di lettura, GB/s
4,477.7
15.6
Velocità di scrittura, GB/s
1,869.1
13.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
697
3122
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
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