RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Confronto
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB vs SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
14.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
64
Intorno -78% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.4
1,869.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
64
36
Velocità di lettura, GB/s
4,477.7
14.4
Velocità di scrittura, GB/s
1,869.1
10.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
697
2489
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link