RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Confronto
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB vs SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
10.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
64
Intorno -73% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.9
1,869.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
64
37
Velocità di lettura, GB/s
4,477.7
10.4
Velocità di scrittura, GB/s
1,869.1
7.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
697
2230
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link