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Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
比较
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB vs SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
总分
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
总分
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
10.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
64
左右 -73% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.9
1,869.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
64
37
读取速度,GB/s
4,477.7
10.4
写入速度,GB/s
1,869.1
7.9
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
697
2230
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
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Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
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Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
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