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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
比较
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
总分
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
35
左右 -9% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.8
13.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.6
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
32
读取速度,GB/s
13.7
18.8
写入速度,GB/s
9.6
14.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2312
3765
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB RAM的比较
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Absolute Latency
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
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Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
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