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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
13.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
58
左右 -100% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.5
1,950.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
29
读取速度,GB/s
4,241.0
13.4
写入速度,GB/s
1,950.7
9.5
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
651
2312
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
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Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
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