RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Confronto
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
17000
Intorno 1.51% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
50
Intorno -108% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.5
15.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.2
10.9
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
50
24
Velocità di lettura, GB/s
15.3
18.5
Velocità di scrittura, GB/s
10.9
17.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
17000
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2512
4152
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
ASint Technology SLA304G08-GGNHM 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link