RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Сравнить
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB против G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
50
Около -108% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.5
15.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.2
10.9
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
24
Скорость чтения, Гб/сек
15.3
18.5
Скорость записи, Гб/сек
10.9
17.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2512
4152
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Сравнения RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link