RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Сравнить
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB против G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
50
Около -108% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.5
15.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.2
10.9
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
24
Скорость чтения, Гб/сек
15.3
18.5
Скорость записи, Гб/сек
10.9
17.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2512
4152
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Сравнения RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F3-19200C10-8GBZHD 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link