RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Comparar
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Pontuação geral
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
50
Por volta de -108% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.5
15.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.2
10.9
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
50
24
Velocidade de leitura, GB/s
15.3
18.5
Velocidade de escrita, GB/s
10.9
17.2
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2512
4152
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Comparações de RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link