RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Confronto
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
17000
Intorno 1.51% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
21
50
Intorno -138% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.1
15.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
19.4
10.9
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
50
21
Velocità di lettura, GB/s
15.3
20.1
Velocità di scrittura, GB/s
10.9
19.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
17000
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2512
4089
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link