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Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
比较
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
总分
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
总分
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
50
左右 -138% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.1
15.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
19.4
10.9
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
50
21
读取速度,GB/s
15.3
20.1
写入速度,GB/s
10.9
19.4
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2512
4089
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
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