RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Сравнить
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB против G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
50
Около -138% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.1
15.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
19.4
10.9
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
21
Скорость чтения, Гб/сек
15.3
20.1
Скорость записи, Гб/сек
10.9
19.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2512
4089
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Сравнения RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link