RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Сравнить
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB против G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
50
Около -138% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.1
15.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
19.4
10.9
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
21
Скорость чтения, Гб/сек
15.3
20.1
Скорость записи, Гб/сек
10.9
19.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2512
4089
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Сравнения RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link