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Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Confronto
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Punteggio complessivo
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
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Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
19200
Intorno 1.33% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
60
Intorno -94% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18
15.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.2
11.0
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
60
31
Velocità di lettura, GB/s
15.3
18.0
Velocità di scrittura, GB/s
11.0
15.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
19200
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2359
3040
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Crucial Technology ST25664BA1339.8FMR 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
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