RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Сравнить
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB против Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
60
Около -94% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18
15.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.2
11.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
31
Скорость чтения, Гб/сек
15.3
18.0
Скорость записи, Гб/сек
11.0
15.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2359
3040
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link