RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Comparez
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Note globale
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
19200
Autour de 1.33% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
60
Autour de -94% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18
15.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.2
11.0
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
60
31
Vitesse de lecture, GB/s
15.3
18.0
Vitesse d'écriture, GB/s
11.0
15.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
19200
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2359
3040
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link